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为了进一步探索WTe2中自旋极化带的分支，千伏以及它们与结构丰富的费米表面的相互作用，作者详细研究了自旋相关的非线性磁转运。【图文导读】Figure1.WTe2中的晶体和能带结构以及非线性磁转运(a).晶体结构(b).计算得到的能带结构(c).费米表面示意图(d).电阻率的温度依赖(e).霍尔杆装置的光学图像(f).MR的测量示意图Figure2.WTe2中具有温度驱动反转的非线性磁阻(a).角度依赖的二次谐波电阻(b,c).电流和磁场依赖的正弦振幅(d).正弦振幅随温度的变化(e).三种温度下霍尔电阻的场依赖性(f).ne和nh的温度依赖Figure3.非线性磁阻的晶体各向异性(a).圆形霍尔杆装置的光学图像(b).通道电阻率的温度依赖性(c,d).非线性磁阻的温度依赖性Figure4.非线性充电电流和费米面的理论计算【小结】在这个工作中，程建成投产作者报道了半金属WTe2中室温下的非线性磁阻现象，程建成投产其中有一个有趣的温度驱动反转。